Studium tenkých vrstev metodami optické reflektometrie a polarimetrie

Abstract

Optická polarimetrie a optická reflektometrie jsou metody určené k měření tloušťky SiO2 tenké vrstvy na Si substrátu. Pro určení tloušťky tenké vrstvy metodou optické polarimetrie se využívá poměru mezi spektrálními odrazivostmi p- a s-polarizovaných vln odražených od tenké vrstvy na substrátu. Metoda optické reflektometrie využívá odrazu světla od tenké vrstvy na substrátu a odrazu světla od referenčního materiálu (Si substrátu) při kolmém do-padu. V práci je představen popis polarimetrické a reflektometrické sestavy. Výsledky mě-ření tloušťky SiO2 tenké vrstvy na Si substrátu jsou prezentovány pro obě metody.

Spectral polarimetry and spectral reflectrometry are methods intended for measuring thick-ness of a SiO2 thin film on a Si substrate. For determining the thickness of the thin film by spectral polarimetry method the ratio between the spectral reflectance of p- and s-polarized components reflected from thin film on the substrate is used. Spectral reflectometry method uses reflection of light from a thin film on the substrate and reflection from the reference material at a normal incidence. The thesis presents a description of polarimetric and reflectometric set-up. The results of measuring thickness of the SiO2 thin film on the Si substrate for both methods are presented.