Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.advisorChlebiš, Petr
dc.contributor.authorKopecký, Jiří
dc.date.accessioned2017-08-23T09:24:30Z
dc.date.available2017-08-23T09:24:30Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.otherOSD002
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/118802
dc.description.abstractModerní výkonové polovodičové součástky na bázi karbidu křemíku vykazují řadu velice výhodných vlastností zejména z pohledu jejich dynamiky, ztrát a tepelného přetížení. To umožnuje zvýšit účinnost měničů i posunout hranici poměru výkon/objem k výrazně lepším hodnotám. Vzhledem k lepším parametrům dochází také ve srovnání se standardními křemíkovými materiály součástek k redukci rozměrů a tím i objemu polovodičového materiálu součástky. To nepříznivě ovlivňuje velikost tzv. rozptýlené energie a tím i krátkodobou přetížitelnost, zejména při těžkých a dynamicky se vyvíjecích zkratech. Práce se proto zabývá technikami vyhodnocení rychle vznikajícího přetížení SiC součástek včetně metod rychlého a pokud možno nízkoztrátového vypnutí součástky v počáteční fázi zkratu. V práci jsou popsány metoda hlídání saturačního napětí, metoda proudového zrcadla, metoda dynamického vyhodnocení úrovně poruchového proudu, metoda hlídání saturačního napětí pomocí integrovaného obvodu a tyto metody jsou v možném rozsahu ověřeny na numerických modelech.cs
dc.description.abstractModern power semiconductor devices based on silicon carbide display a number very favorable properties in particular in terms of dynamics, losses and thermal overload. This enables to increase the efficiency inverters and move boundary performance ratio/ bulk significantly better values. Due to improved parameters also occurs in comparison with standard silicon component materials to reduce the size and thus the amount of semiconductor material components. This a negative affects the size of the so-called diffused energy and therefore short-term overload especially in heavy and dynamically the generating faults. Work therefore deals with evaluation techniques rapidly arising overload SiC components including methods of rapid and, if possible, turn off the low-loss components at an early stage circuit. The paper describes a method monitoring the saturation voltage, method a current mirror, method of dynamic evaluation of the level of the fault current and these methods are the extent validated numerical models.en
dc.format.extent2211045 bytes
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocs
dc.publisherVysoká škola báňská - Technická univerzita Ostravacs
dc.subjectpolovodičový spínací prvekcs
dc.subjectkarbid křemíkucs
dc.subjectkřemíkcs
dc.subjectbipolární tranzistor s izolovaným hradlem IGBTcs
dc.subjecttranzistor řízený elektrickým polem MOSFETcs
dc.subjectdetekce zkratových proudůcs
dc.subjectpolovodičový měničcs
dc.subjectpřetěžování SiC prvkucs
dc.subjectSSCBcs
dc.subjectPower Switching Deviceen
dc.subjectSilicon – Carbiden
dc.subjectSiliconen
dc.subjectInsulated Gate Bipolar Transistoren
dc.subjectMetal Oxid Semiconductor Field Effect Transistoren
dc.subjectOvercurrent Detectionen
dc.subjectSemiconductor Systemen
dc.subjectOverloading SiC deviceen
dc.subjectSSCBen
dc.titleDetekce zkratových proudů velmi rychlých výkonových spínacích součástekcs
dc.title.alternativeOvercurrent Detection of High Speed Semiconductor Switchesen
dc.typeBakalářská prácecs
dc.contributor.refereePavelek, Tomáš
dc.date.accepted2017-05-30
dc.thesis.degree-nameBc.
dc.thesis.degree-levelBakalářský studijní programcs
dc.thesis.degree-grantorVysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatikycs
dc.description.department430 - Katedra elektroniky
dc.thesis.degree-programElektrotechnikacs
dc.thesis.degree-branchAplikovaná elektronikacs
dc.description.resultvýborněcs
dc.identifier.senderS2724cs
dc.identifier.thesisKOP0170_FEI_B2649_2612R003_2017
dc.rights.accessopenAccess


Soubory tohoto záznamu

Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam