dc.contributor.advisor | Strossa, Jan | |
dc.contributor.author | Kasala, Petr | |
dc.date.accessioned | 2024-06-27T17:25:36Z | |
dc.date.available | 2024-06-27T17:25:36Z | |
dc.date.issued | 2024 | |
dc.identifier.other | OSD002 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10084/153803 | |
dc.description.abstract | Tato bakalářská práce se zabývá použitím MOSFET tranzistorů ve výkonové elektronice, konkrétně se jedná o aplikaci MOSFET tranzistorů ve spínacím režimu. Práce cílí k otestování tranzistorů se zabudovaným kanálem jako výkonových spínačů. Zároveň je řešena problematika jejich řízení pomocí budičů. Bakalářská práce je rozdělena na 4 části, kdy v prvních 2 částech je řešena teoretická část a v následujících částech se nalézá praktická realizace. Cílem bakalářské práce bylo vytvořit funkční návrh desky plošných spojů. | cs |
dc.description.abstract | This bachelor thesis deals with the application of MOSFET transistors in power electronics, specifically the application of MOSFET transistors in switching mode. This bachelor thesis aims to test the built-in channel transistors as power switches. At the same time, the problem of their control using gate drivers is addressed. The bachelor thesis is divided into 4 parts, where in the first 2 parts the theoretical part is addressed and in the following parts the practical implementation is found. The aim of the bachelor thesis was to create a functional design of a printed circuit board. | en |
dc.format.extent | 3478880 bytes | |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | cs | |
dc.publisher | Vysoká škola báňská – Technická univerzita Ostrava | cs |
dc.subject | Budič | cs |
dc.subject | H-můstek | cs |
dc.subject | MOSFET v režimu obohacení | cs |
dc.subject | MOSFET v režimu ochuzování | cs |
dc.subject | Depletion MOSFET | en |
dc.subject | Enhancement MOSFET | en |
dc.subject | gate driver | en |
dc.subject | H-bridge | en |
dc.title | Návrh spínací struktury implementující MOSFETy pracující v režimu ochuzování ve výkonové elektronice | cs |
dc.title.alternative | Design of the Switching Structure Implementing Depeletion MOSFETs in Power Electronics | en |
dc.type | Bakalářská práce | cs |
dc.contributor.referee | Damec, Vladislav | |
dc.date.accepted | 2024-06-04 | |
dc.thesis.degree-name | Bc. | |
dc.thesis.degree-level | Bakalářský studijní program | cs |
dc.thesis.degree-grantor | Vysoká škola báňská – Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatiky | cs |
dc.description.department | 430 - Katedra aplikované elektroniky | cs |
dc.thesis.degree-program | Aplikovaná elektronika | cs |
dc.description.result | výborně | cs |
dc.identifier.sender | S2724 | |
dc.identifier.thesis | KAS0248_FEI_B0714A060012_2024 | |
dc.rights.access | openAccess | |