dc.contributor.advisor | Langhammer, Pavel | |
dc.contributor.author | Vaverka, Martin | |
dc.date.accessioned | 2008-11-28T09:53:39Z | |
dc.date.available | 2008-11-28T09:53:39Z | |
dc.date.issued | 2008 | |
dc.identifier.other | OSD002 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10084/70219 | |
dc.description | Import 28/11/2008 | |
dc.format | 41 l., [6] l. příl. : il. | en |
dc.language.iso | cs | en |
dc.publisher | Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava | cs |
dc.title | Diferenciální parametry tranzistorů MOSFET a JFET | en |
dc.type | Bakalářská práce | en |
dc.identifier.signature | 200804266 | en |
dc.identifier.location | ÚK/Sklad diplomových prací | en |
dc.thesis.degree-name | Bc. | en |
dc.thesis.degree-level | Bakalářský | en |
dc.thesis.degree-grantor | Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatiky | en |
dc.description.category | Prezenční | en |
dc.description.department | 454 - Katedra elektroniky a telekomunikační techniky | en |
dc.thesis.degree-program | Neuvedeno | en |
dc.thesis.degree-branch | Elektronika a sdělovací technika | en |
dc.description.result | Neuvedeno | en |