dc.contributor.advisor | Gajdošík, Libor | cs |
dc.contributor.author | Kyš, Jaromír | cs |
dc.date.accessioned | 2011-10-19T07:10:12Z | |
dc.date.available | 2011-10-19T07:10:12Z | |
dc.date.issued | 2011 | cs |
dc.identifier.other | OSD002 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10084/89510 | |
dc.description | Import 19/10/2011 | cs |
dc.description.abstract | Diplomová práce obsahuje přehled o možnostech realizace vysokofrekvenčních zesilovačů. V úvodu práce jsem popsal základní parametry vysokofrekvenčních zesilovačů. V zapojeních se používají aktivní prvky k zesílení vstupního signálu a pasivní prvky k nastavení zpracovávané frekvence. Dále zde popisuji vlastnosti širokopásmového a úzkopásmového zesilovače. posledním bodě této práce jsem navrhl dvě zapojení a experimentálně ověřil jejich vlastnosti. | cs |
dc.description.abstract | The dissertation contains overview of the possibilities of realization of high frequency amplifiers. In the introduction I described basic parameters of the high frequency amplifiers. In configuration the active elements are used to amplify the input signal and passive components to set frequency processed. Furthermore, I describe characteristics of broadband and narrowband amplifier. In the last section of this dissertation I proposed two connections and experimentally verified their properties. | en |
dc.format.extent | 1465942 bytes | cs |
dc.format.mimetype | application/pdf | cs |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava | cs |
dc.subject | Vysokofrekvenční zesilovač | cs |
dc.subject | zesilovač | cs |
dc.subject | tranzistor | cs |
dc.subject | širokopásmový zesilovač | cs |
dc.subject | úzkopásmový zesilovač | cs |
dc.subject | rezonanční obvod | cs |
dc.subject | frekvenční oblast | cs |
dc.subject | kapacita | cs |
dc.subject | indukčnost | cs |
dc.subject | High frequency amplifier | en |
dc.subject | amplifier | en |
dc.subject | transistor | en |
dc.subject | broadband amplifier | en |
dc.subject | narrowband amplifier | en |
dc.subject | resonant circuit | en |
dc.subject | frequency domain | en |
dc.subject | capacity | en |
dc.subject | induktance | en |
dc.title | Návrh vysokofrekvenčního zesilovače | cs |
dc.title.alternative | High frequency amplifier design | en |
dc.type | Diplomová práce | cs |
dc.contributor.referee | Tesař, Zdeněk | cs |
dc.date.accepted | 2011-05-30 | cs |
dc.thesis.degree-name | Ing. | cs |
dc.thesis.degree-level | Magisterský studijní program | cs |
dc.thesis.degree-grantor | Vysoká škola báňská - Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatiky | cs |
dc.description.department | 440 - Katedra telekomunikační techniky | cs |
dc.thesis.degree-program | Informační a komunikační technologie | cs |
dc.thesis.degree-branch | Telekomunikační technika | cs |
dc.description.result | dobře | cs |
dc.identifier.sender | S2724 | cs |
dc.identifier.thesis | KYS053_FEI_N2647_2601T013_2011 | |
dc.rights.access | openAccess | |