Návrh spínací struktury implementující MOSFETy pracující v režimu ochuzování ve výkonové elektronice

dc.contributor.advisorStrossa, Jan
dc.contributor.authorKasala, Petr
dc.contributor.refereeDamec, Vladislav
dc.date.accepted2024-06-04
dc.date.accessioned2024-06-27T17:25:36Z
dc.date.available2024-06-27T17:25:36Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá použitím MOSFET tranzistorů ve výkonové elektronice, konkrétně se jedná o aplikaci MOSFET tranzistorů ve spínacím režimu. Práce cílí k otestování tranzistorů se zabudovaným kanálem jako výkonových spínačů. Zároveň je řešena problematika jejich řízení pomocí budičů. Bakalářská práce je rozdělena na 4 části, kdy v prvních 2 částech je řešena teoretická část a v následujících částech se nalézá praktická realizace. Cílem bakalářské práce bylo vytvořit funkční návrh desky plošných spojů.cs
dc.description.abstractThis bachelor thesis deals with the application of MOSFET transistors in power electronics, specifically the application of MOSFET transistors in switching mode. This bachelor thesis aims to test the built-in channel transistors as power switches. At the same time, the problem of their control using gate drivers is addressed. The bachelor thesis is divided into 4 parts, where in the first 2 parts the theoretical part is addressed and in the following parts the practical implementation is found. The aim of the bachelor thesis was to create a functional design of a printed circuit board.en
dc.description.department430 - Katedra aplikované elektronikycs
dc.description.resultvýborněcs
dc.format.extent3478880 bytes
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.otherOSD002
dc.identifier.senderS2724
dc.identifier.thesisKAS0248_FEI_B0714A060012_2024
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/153803
dc.language.isocs
dc.publisherVysoká škola báňská – Technická univerzita Ostravacs
dc.rights.accessopenAccess
dc.subjectBudičcs
dc.subjectH-můstekcs
dc.subjectMOSFET v režimu obohacenícs
dc.subjectMOSFET v režimu ochuzovánícs
dc.subjectDepletion MOSFETen
dc.subjectEnhancement MOSFETen
dc.subjectgate driveren
dc.subjectH-bridgeen
dc.thesis.degree-grantorVysoká škola báňská – Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatikycs
dc.thesis.degree-levelBakalářský studijní programcs
dc.thesis.degree-nameBc.
dc.thesis.degree-programAplikovaná elektronikacs
dc.titleNávrh spínací struktury implementující MOSFETy pracující v režimu ochuzování ve výkonové elektronicecs
dc.title.alternativeDesign of the Switching Structure Implementing Depeletion MOSFETs in Power Electronicsen
dc.typeBakalářská prácecs

Files

Original bundle

Now showing 1 - 5 out of 5 results
Loading...
Thumbnail Image
Name:
KAS0248_FEI_B0714A060012_2024.pdf
Size:
3.32 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Text práce
Loading...
Thumbnail Image
Name:
KAS0248_FEI_B0714A060012_2024_zadani.pdf
Size:
120.82 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Zadání
Loading...
Thumbnail Image
Name:
KAS0248_FEI_B0714A060012_2024_priloha.rar
Size:
174.3 KB
Format:
Unknown data format
Description:
Příloha
Loading...
Thumbnail Image
Name:
KAS0248_FEI_B0714A060012_2024_posudek_vedouci_Strossa_Jan.pdf
Size:
145.51 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek vedoucího – Strossa, Jan
Loading...
Thumbnail Image
Name:
KAS0248_FEI_B0714A060012_2024_posudek_oponent_Damec_Vladislav.pdf
Size:
147.71 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek oponenta – Damec, Vladislav