ZnO nanostructures prepared by RF sputtering

dc.contributor.author	Flickyngerová, S.
dc.contributor.author	Tvarožek, V.
dc.contributor.author	Novotný, I.
dc.contributor.author	Šatka, A.
dc.contributor.author	Šutta, P.
dc.date.accessioned	2011-02-02T11:25:12Z
dc.date.available	2011-02-02T11:25:12Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Advances in electrical and electronic engineering. 2006, vol. 5, no. 3, p. 330-333.	en
dc.identifier.issn	1336-1376
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10084/83832
dc.description.abstract	ZnO is shortly reviewed as significant material for nanotechnology. Sputtered ZnO thin films showed colummar polycrystalline structure with preffered orientation in <002> direction, resistivity ~ 1 Wcm and optical bandgap Eg = 3,33 eV. Nanoclusters of Au and ZnO were formed by use of RF sputtering.	en
dc.format.extent	827860 bytes	cs
dc.format.mimetype	application/pdf	cs
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakulta	en
dc.relation.ispartofseries	Advances in electrical and electronic engineering	en
dc.relation.uri	http://advances.utc.sk/index.php/AEEE	en
dc.rights	Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)	en
dc.rights	© Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakulta	en
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/	en
dc.title	ZnO nanostructures prepared by RF sputtering	en
dc.type	article	en
dc.rights.access	openAccess
dc.type.version	publishedVersion	cs
dc.type.status	Peer-reviewed	cs

AEEE. 2006, vol. 5 [100]
OpenAIRE [5085]
Kolekce určená pro sklízení infrastrukturou OpenAIRE; obsahuje otevřeně přístupné publikace, případně další publikace, které jsou výsledkem projektů rámcových programů Evropské komise (7. RP, H2020, Horizon Europe).

Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)