Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.authorHarmatha, L.
dc.contributor.authorBallo, P.
dc.contributor.authorBreza, J.
dc.contributor.authorPísečný, P.
dc.contributor.authorŤapajna, M.
dc.date.accessioned2011-02-02T11:30:53Z
dc.date.available2011-02-02T11:30:53Z
dc.date.issued2006
dc.identifier.citationAdvances in electrical and electronic engineering. 2006, vol. 5, no. 3, p. 334-336.en
dc.identifier.issn1336-1376
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/83833
dc.description.abstractThe article presents the results of capacitance measurements on MOS structures with a silicon substrate that was doped by nitrogen during the growth of the single crystal by Czochralski’s method. Attention is paid to the energy distribution of the trap density at the Si-SiO2 interface. The effect of the bond of nitrogen and oxygen brought about a slight increase in the trap density with a typical distribution of energy maxima of the deep levels in the forbidden band of Si.en
dc.format.extent135921 bytescs
dc.format.mimetypeapplication/pdfcs
dc.language.isoenen
dc.publisherŽilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakultaen
dc.relation.ispartofseriesAdvances in electrical and electronic engineeringen
dc.relation.urihttp://advances.utc.sk/index.php/AEEEen
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)en
dc.rights© Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakultaen
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0/en
dc.titleProperties of the Si-SiO2 interfaces in MOS structures with nitrogen doped siliconen
dc.typearticleen
dc.rights.accessopenAccess
dc.type.versionpublishedVersioncs
dc.type.statusPeer-reviewedcs


Soubory tohoto záznamu

Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

  • AEEE. 2006, vol. 5 [100]
  • OpenAIRE [5085]
    Kolekce určená pro sklízení infrastrukturou OpenAIRE; obsahuje otevřeně přístupné publikace, případně další publikace, které jsou výsledkem projektů rámcových programů Evropské komise (7. RP, H2020, Horizon Europe).

Zobrazit minimální záznam

Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)
Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)