Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.authorVavruňková, Veronika
dc.contributor.authorMüllerová, Jarmila
dc.contributor.authorŠutta, Pavel
dc.date.accessioned2011-02-03T11:45:26Z
dc.date.available2011-02-03T11:45:26Z
dc.date.issued2007
dc.identifier.citationAdvances in electrical and electronic engineering. 2007, vol. 6, no. 3, p. 108-111.en
dc.identifier.issn1336-1376
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/83877
dc.description.abstractWe report on the structure and optical properties of hydrogenated silicon thin films deposited by plasma - enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from silane diluted with hydrogen in a wide dilution range. The samples deposited with dilutions below 30 were detected as amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) with crystalline grains of several nanometers in size which represent the medium-range order of a-Si:H. The optical characterization confirmed increasing ordering with the increasing dilution. The optical band gap was observed to be increasing function of the dilution.en
dc.format.extent198420 bytescs
dc.format.mimetypeapplication/pdfcs
dc.language.isoenen
dc.publisherŽilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakultaen
dc.relation.ispartofseriesAdvances in electrical and electronic engineeringen
dc.relation.urihttp://advances.utc.sk/index.php/AEEEen
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)
dc.rights© Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakulta
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0/
dc.titleMicrostructure related characterization of a-Si:H thin films PECVD deposited under varied hydrogen dilutionen
dc.typearticleen
dc.rights.accessopenAccess
dc.type.versionpublishedVersioncs
dc.type.statusPeer-reviewedcs


Soubory tohoto záznamu

Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

  • OpenAIRE [5085]
    Kolekce určená pro sklízení infrastrukturou OpenAIRE; obsahuje otevřeně přístupné publikace, případně další publikace, které jsou výsledkem projektů rámcových programů Evropské komise (7. RP, H2020, Horizon Europe).
  • AEEE. 2007, vol. 6 [26]

Zobrazit minimální záznam

Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)
Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)