Using of the modern semiconductor devices based on the SiC

dc.contributor.author	Drábek, P.
dc.date.accessioned	2011-02-07T08:32:36Z
dc.date.available	2011-02-07T08:32:36Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Advances in electrical and electronic engineering. 2008, vol. 7, no. 1, 2, p. 106-109.	en
dc.identifier.issn	1336-1376
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10084/83916
dc.description.abstract	This paper deals with possibility of application of the semiconductor devices based on the SiC (Silicon Carbide) in the power electronics. Basic synopsis of SiC based materials problems are presented, appreciation of their properties in comparison with current using power semiconductor devices ((IGBT, MOSFET, CoolFET transistors).	en
dc.format.extent	514473 bytes	cs
dc.format.mimetype	application/pdf	cs
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakulta	en
dc.relation.ispartofseries	Advances in electrical and electronic engineering	en
dc.relation.uri	http://advances.utc.sk/index.php/AEEE	en
dc.rights	Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)
dc.rights	© Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakulta
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/
dc.title	Using of the modern semiconductor devices based on the SiC	en
dc.type	article	en
dc.rights.access	openAccess
dc.type.version	publishedVersion	cs
dc.type.status	Peer-reviewed	cs

AEEE. 2008, vol. 7 [106]
OpenAIRE [5085]
Kolekce určená pro sklízení infrastrukturou OpenAIRE; obsahuje otevřeně přístupné publikace, případně další publikace, které jsou výsledkem projektů rámcových programů Evropské komise (7. RP, H2020, Horizon Europe).

Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)