Zobrazit minimální záznam

Simulation of electrical parameters for Ru/Ta2O5/SiO2/Si(p) high-k MOS structure

dc.contributor.authorRacko, J.
dc.contributor.authorHarmatha, L.
dc.contributor.authorBreza, J.
dc.contributor.authorBenko, P.
dc.contributor.authorDonoval, D.
dc.date.accessioned2011-02-10T08:07:57Z
dc.date.available2011-02-10T08:07:57Z
dc.date.issued2008
dc.identifier.citationAdvances in electrical and electronic engineering. 2008, vol. 7, no. 1, 2, p. 385-388.en
dc.identifier.issn1336-1376
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/84220
dc.description.abstractThe contribution presents the results of simulation of direct tunnelling of free charge carriers through a thin gate insulator in MOS structures consisting of a Ta2O5/SiO2 bilayer taking into account also indirect tunnelling of free charge carriers through the SiO2/Si interface traps. The calculated I–V and C–V curves reveal the processes of electron and hole tunnelling through the insulator-to-semiconductor potential barrier that can be divided into four classes.en
dc.format.extent172175 bytescs
dc.format.mimetypeapplication/pdfcs
dc.language.isoenen
dc.publisherŽilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakultaen
dc.relation.ispartofseriesAdvances in electrical and electronic engineeringen
dc.relation.urihttp://advances.utc.sk/index.php/AEEEen
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)
dc.rights© Žilinská univerzita v Žiline. Elektrotechnická fakulta
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0/
dc.titleSimulation of electrical parameters for Ru/Ta2O5/SiO2/Si(p) high-k MOS structureen
dc.typearticleen
dc.rights.accessopenAccess
dc.type.versionpublishedVersioncs
dc.type.statusPeer-reviewedcs


Soubory tohoto záznamu

Název:
AEEE-2008-7-1-2-385-Racko.pdf
Velikost:
168.1Kb
Formát:
PDF
Zobrazit/otevřít

Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

  • AEEE. 2008, vol. 7 [106]
  • OpenAIRE [5085]
    Kolekce určená pro sklízení infrastrukturou OpenAIRE; obsahuje otevřeně přístupné publikace, případně další publikace, které jsou výsledkem projektů rámcových programů Evropské komise (7. RP, H2020, Horizon Europe).

Zobrazit minimální záznam

Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)
Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je Creative Commons Attribution 3.0 Unported (CC BY 3.0)