Analýza polovodičových pamětí pod vlivem ionizujícího záření v reálném čase

Abstract

Cílem diplomové práce je zkoumat a následně potvrdit nebo vyvrátit vliv ionizujícího záření na různé typy polovodičových pamětí. Stručně je rozebrána problematika ionizujícího záření a technologie FPGA. Praktickou část práce tvoří návrh přípravku pro průběžnou analýzu obsahu polovodičových pamětí a následná realizace DPS pro navržený přípravek. Průběžná analýza obsahu paměti je během ozařování provedena pomocí obvodové logiky FPGA.

The objective of this thesis is to research and then prove or disprove the influence of ionising radiation on various types of semiconductor memories. The issue of ionising radiation and FPGA technique is briefly described in theoretical part of thesis. The practical part is dedicated to design of hardware component for continuous analysis of memories content and following realization of PCB of designed component. The continuous analysis of memory content during radiation is realized by FPGA circuit logic.