Modernizace laboratorní výuky předmětu výkonové spínací prvky

Abstract

Bakalářské práce je zaměřena na výkonové polovodičové prvky vyrobené z karbidu křemíku. V této práci jsou popsány základní vlastnosti polovodičových prvků na bázi SiC a jejich rozdíly oproti standardně používaným součástkám Si. Dále se práce zabývá problematikou jejich budících obvodů. V rámci praktické části je proveden návrh a úprava měřícího stanoviště umístěného ve školní laboratoři pro měření dynamických vlastností výkonových polovodičových prvků na bázi SiC.

The main aim of this bachelor thesis is to describe the properties of semiconductive material SiC and features differences between them and commonly used silicon based components and a discussion about the problematics of applying their gate driver. Furthemore, in the practical part of the thesis, a proposal is presented for a revisal of measurement station for measuring static and dynamic properties of power switching devices based on Silicon in a way, that there will be a possibility for measuring Silicon Carbide based devices.