Moderní trendy v oblasti SiC polovodičů

Abstract

Bakalářská práce se zabývá popisem, vlastnostmi krystalové struktury sloučenin karbidu křemíku a jejich rozdíly v krystalové struktuře. Provedením průzkumu trhu je zjištěna dostupnost SiC polovodičů na trhu, kterým se poté věnuji a popisuji jejich konstrukce, vlastnosti, použití. Pro porovnání Si polovodičů s SiC je použito modelování statických charakteristik v simulačních programech. Tyto simulace jsou podpořeny o výsledky praktického měření statických a dynamických charakteristik různých typů tranzistorů na bázi křemíku a karbidu křemíku.

This thesis deals with the description, the characteristics of the crystal structures of compounds of silicon carbide and their differences in the crystal structure. Availability of SiC semiconductors was found out by market research. I devote to these SiC semiconductors, and describe their construction, properties, and applications.For comparison Si semiconductor with SiC, modeling of static characteristics in simulation programs is used. These simulations are supported by the results of the practical measurement of static and dynamic characteristics of different types of transistors based on silicon and silicon carbide.