Objasnění příčin praskání vybraných bipolárních čipů tranzistorů TO 220 a vliv elektrostatického výboje na vznik zbytkového proudu TMOS struktur

dc.contributor.advisorLanghammer, Pavelen
dc.contributor.authorŠmerda, Danielen
dc.date.accepted2002en
dc.date.accessioned2006-04-20T07:18:35Z
dc.date.available2006-04-20T07:18:35Z
dc.date.issued2002en
dc.descriptionImport 20/04/2006
dc.description.categoryPrezenční výpůjčkaen
dc.description.departmentVŠB - Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatiky. Katedra (454) elektroniky a telekomunikační technikycs
dc.format57 l., [31] l. příl. : il.en
dc.identifier200209250 DP \\*\en
dc.identifier.locationÚK/Sklad diplomových pracíen
dc.identifier.otherOSD002
dc.identifier.signature33101/9250en
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/44697
dc.language.isocsen
dc.publisherVysoká škola báňská - Technická univerzita Ostravacs
dc.titleObjasnění příčin praskání vybraných bipolárních čipů tranzistorů TO 220 a vliv elektrostatického výboje na vznik zbytkového proudu TMOS strukturcs
dc.typeDiplomová práceen

Files