Simulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronice

dc.contributor.advisorStrossa, Jan
dc.contributor.authorGlomb, Vladimír
dc.contributor.refereeHavel, Aleš
dc.date.accepted2024-06-04
dc.date.accessioned2024-06-27T17:25:37Z
dc.date.available2024-06-27T17:25:37Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá spínacími jevy MOSFETů při spínání ve výkonové elektronice, jejich projevech na součástkách a celkovém obvodu. Tyto jevy mohou zapříčinit nesprávné fungování obvodu až zničení jednotlivých součástek obvodu, z tohoto důvodu jsou obsahem této bakalářské práce také simulace řady obvodů, ve kterých funkci spínače zastává právě MOSFET či MOSFETy. Tyto simulace nám budou sloužit jakožto demonstrace jednotlivých nepříznivých stavů a jevů při spínání MOSFETů. V návaznosti na tyto simulace jsou obsahem této práce také podmínky pro správné fungování MOSFETů a podmínky pro zamezení destrukce samotného tranzistoru MOSFET.cs
dc.description.abstractThis bachelor thesis focuses on switching phenomenas of MOSFETs during switching in power electronics, their effects on components, and the overall circuit. These phenomenas can lead to improper circuit operation, even to the destruction of individual circuit components. For this reason, this bachelor thesis also includes simulations of several circuits in which the MOSFET or MOSFETs serve as the switch. These simulations will serve as demonstrations of unfavorable states and phenomenas during the switching of MOSFETs. Regarding these simulations, the thesis also covers the conditions for proper MOSFET operation and the conditions to prevent the destruction of the MOSFET transistor itself.en
dc.description.department430 - Katedra aplikované elektronikycs
dc.description.resultvýborněcs
dc.format.extent2880621 bytes
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.otherOSD002
dc.identifier.senderS2724
dc.identifier.thesisGLO0057_FEI_B0714A060012_2024
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10084/153806
dc.language.isocs
dc.publisherVysoká škola báňská – Technická univerzita Ostravacs
dc.rights.accessopenAccess
dc.subjectBuzení MOSFETucs
dc.subjectdraincs
dc.subjecthradlocs
dc.subjecthradlový odporcs
dc.subjectMOSFETcs
dc.subjectparazitní kapacitycs
dc.subjectsourcecs
dc.subjectspínací jevcs
dc.subjectDrainen
dc.subjectgateen
dc.subjectgate resistoren
dc.subjectMOSFET drivingen
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectparasitic capacitiesen
dc.subjectsourceen
dc.subjecttransient phenomenasen
dc.thesis.degree-grantorVysoká škola báňská – Technická univerzita Ostrava. Fakulta elektrotechniky a informatikycs
dc.thesis.degree-levelBakalářský studijní programcs
dc.thesis.degree-nameBc.
dc.thesis.degree-programAplikovaná elektronikacs
dc.titleSimulační model pro demonstraci problematiky spínacích jevů MOSFETů ve výkonové elektronicecs
dc.title.alternativeSimulation Model for the Power Electronics MOSFETs Switching Phenomenas Issues Demonstrationen
dc.typeBakalářská prácecs

Files

Original bundle

Now showing 1 - 5 out of 5 results
Loading...
Thumbnail Image
Name:
GLO0057_FEI_B0714A060012_2024.pdf
Size:
2.75 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Text práce
Loading...
Thumbnail Image
Name:
GLO0057_FEI_B0714A060012_2024_zadani.pdf
Size:
120.98 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Zadání
Loading...
Thumbnail Image
Name:
GLO0057_FEI_B0714A060012_2024_priloha.zip
Size:
88.31 MB
Format:
Unknown data format
Description:
Příloha
Loading...
Thumbnail Image
Name:
GLO0057_FEI_B0714A060012_2024_posudek_vedouci_Strossa_Jan.pdf
Size:
146.51 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek vedoucího – Strossa, Jan
Loading...
Thumbnail Image
Name:
GLO0057_FEI_B0714A060012_2024_posudek_oponent_Havel_Ales.pdf
Size:
148.6 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek oponenta – Havel, Aleš